高地压严重突出区域下向穿层钻孔预抽消突技术

利用工作面高抽巷施工掩护顺槽掘进工作面下向穿层条带预抽钻孔,通过对钻场底板深、浅孔注浆封堵围岩裂隙解决了孔内返水不畅难题;采取了"两堵一注"封孔方式确保封孔严密不漏气;孔内全程下吹水管,实现了单孔、分组、定时吹水工作目标,提高了下向消突钻孔抽采效果,形成了一套高效、快速的下向穿层钻孔消突管理模式,实现了高地压严重突出区域煤层高效消突以及技术经济一体化目标,安全经济效益显著。     

氯甲烷在镁修饰的ZSM-5分子筛催化剂上催化转化研究

在镁修饰的ZSM-5分子筛催化剂上,氯甲烷可以被催化转化为烃类产品。分别采用了离子交换和浸渍的方法来修饰ZSM-5分子筛。离子交换的Mg-ZSM-5催化剂和浸渍的Mg/ZSM-5催化剂都可以提高反应产物中的低碳烯烃的选择性,降低烷烃的选择性,并且保持较高的反应活性,但高的浸渍量对反应活性有一定的影响。NH3-TPD的结果表明,浸渍镁的ZSM-5催化剂的强酸中心数目明显减少。镁的修饰对催化剂酸性的影响导致了产物中低碳烯烃的增加。浸渍Mg的ZSM-5催化剂是潜在氯甲烷转化生成低碳烯烃的催化剂。     

AD HOC网络管理综述

由于AD HOC网络自身的特点，其网络管理很多方面与固定网络不同，如移动性管理和体系结构管理等。讨论了AD HOC网络管理的各个方面，并列举了各个方面的设计思路和已有的相关算法的简介。     

基于DTW改进算法的孤立词识别系统的仿真与分析

传统的DTW算法在进行孤立词语音识别时着重于时间规整和语音测度的计算，而没有对数据的可靠性和有效性进行分析。本文提出了一种改进的端点检测算法，并采用一种改进的DTW算法，在计算机上进行了仿真。实验结果表明采用改进后的DTW算法有效的降低了识别时间和存储数据量，提高了系统性能。     

基于承包商预期收益不变的不平衡报价模型

在招标实践中,通常采用最低价中标原则,使得投标人不得不压低其投标价格。基于承包商预期收益不变的不平衡报价模型,是在“工程量清单报价”的条件下,考虑到施工中工程量的变化及施工顺序的影响,体现了资金的时间价值,在保持承包商预期收益不变的前提下,通过调整各分项工程的单价,来降低工程报价,以增加中标机会而建立的。所建立的模型简单,易于操作,并配以具体的工程实例,通过计算机求得其最优解,可供承包商投标报价时参考。     

鄂尔多斯盆地三叠系延长组层序地层与生储盖组合特征

鄂尔多斯盆地三叠系延长组地层层序划分方案较多。在V ail经典层序地层学理论指导下,综合利用露头、岩芯、钻井、地震和古生物等资料,通过古水深分析和层序界面的识别与划分,认为将鄂尔多斯盆地三叠系延长组划分为7个三级层序更为合理,指出层序4水进体系域(生)+层序5低位体系域(储)+层序5水进体系域(盖)和层序4水进体系域(生)+层序4低位体系域(储)+层序4水进体系域(盖)是相对较佳的2套生储盖组合,并指出了鄂尔多斯盆地延长组最主要的2套生储盖勘探目的层。     

GSM系统频率偏移引起的疑难故障两例

GSM网络的频率偏移是引起疑难故障的重要原因之一,但往往容易被忽视.本文就频率偏移引起的两起典型疑难故障进行了分析,供参考借鉴.     

塔河油田成藏期次的地球化学示踪研究

应用油藏地球化学的方法对塔河油田的成藏期次进行了探讨。塔河油田稠油正构烷烃分布完整,但色谱基线不同程度抬升;原油非烃和沥青质碳同位素偏轻,族组成碳同位素发生倒转;原油中普遍含有25-降藿烷。这些特征表明该区油藏经历了至少两期成藏过程,早期充注原油遭受生物降解作用后又受到高成熟原油充注。塔河油田天然气为典型的油型气,成熟度较高,为成熟—过成熟阶段产物,亦显示了两期充注的特征:早期充注的为典型的原油伴生气,充注时间与后期原油的充注时间相同;晚期充注的为高温裂解气,充注方向为自东向西。因此,塔河油田至少存在着3次油气充注过程。      

半导体传感器在生物分析科学中的应用(英文)

回顾了半导体生化传感器 (ISFET 和 LA PS)在医学监测、免疫检测、免疫分析、D N A 杂交以及细胞培养等方面应用的进展。为使半导体器件适用于生化检测,对其中所采用的检测手段和取得的研究结果进行了分析。展望了通过与微流体网络相结合,基于半导体传感器的实验室芯片化的可行性。     

Silicon for thin-film transistors

We are standing at the beginning of the industrialization of flexible thin-film transistor (TFT) backplanes. The two important research directions for the TFTs are (i) processability on flexible substrates and (ii) sufficient field-effect mobilities of electrons and holes to support complementary metal insulator semiconductor operation. The most important group of TFT capable semiconductors are the several modifications of silicon films: amorphous, nanocrystalline and microcrystalline. We summarize their TFT properties and their compatibility with foil substrate materials.